单晶氧化镁是指氧化镁含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温(高温2500℃，低温-270℃)抗腐蚀性、绝缘性和良好的导热性和光学性能、无色透明的晶体。氧化镁是极好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光点薄膜和高温超导薄膜等，由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英寸及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。单晶氧化镁可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器电器。

  单晶氧化镁的指标参数：晶格常数a=4.212、分子量40.311、密度(g/cm)3.65、热膨胀数(×10-⒎/℃)(25℃)138、融点(℃)2800、沸点(℃)3600、导热率(cal/cm/sec/℃）(25℃)0.06、比热(cal/g.℃)0.209、莫氏硬度5.5、电容率(1mnz)(25℃)、折射率No=1.74(λ=0.633μ)、透光率：光波长200-2000透过率92%、光波长2.5-7微米时透过率大于92%、晶相（100）（111）（110）

  单晶氧化镁一般是在大功率，三相电弧炉熔制，这种方法的优点：生产量大，设备结构简单。由于石墨电极在熔制过程中进入单晶氧化镁使纯度降低。若想得到超高纯度的氧化镁单晶，需采用无接触熔制，一般多采用激光法熔制氧化镁单晶。由于激光高能量密度使氧化镁粉瞬间变成液态，由于是无接触加工，不存在电极消耗，因此可以得到高纯度氧化镁单晶,可以达到99.9%。

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