调控烧结进程，降低烧结温度，节约能耗

　　陶瓷烧结的核心难点之一的是“烧结温度高、能耗大”，且不同原料（黏土、长石、石英）的烧结活性差异大，易导致烧结不充分或过度烧结。氧化镁能针对性调控烧结进程，优化烧结动力学，实现“低温烧结”，同时拓宽烧结工艺窗口，提升工艺适应性。

　　1.降低烧结温度与烧结活化能：氧化镁作为温和的助熔剂，在升温阶段（800-1000℃）会率先与坯体/釉料中的SiO?、Al?O?、CaO等组分形成低熔点复合玻璃体（低共熔物），打破原料颗粒表面的晶格壁垒，降低颗粒间的粘结阻力，从而显著降低陶瓷的烧结温度，通常可降低50-100℃（普通陶瓷烧结温度1250-1350℃，添加氧化镁后可降至1150-1280℃）。同时，氧化镁能降低烧结活化能，加速颗粒间的扩散与粘结，缩短保温时间，大幅节约烧结能耗，适配规模化生产需求。

　　2.拓宽烧结温度范围，提升工艺容错率：普通陶瓷烧结温度范围狭窄（通常仅30-50℃），窑炉温度轻微波动就会导致生烧（烧结不充分，坯体疏松、强度低）或过烧（釉面起泡、坯体变形）。氧化镁能拓宽烧结温度范围至80-100℃，延长保温阶段的有效时间，让坯体/釉料中的矿物反应更充分、更均匀，减少温度波动对烧结质量的影响，提升大批量生产的成品合格率，尤其适配电窑、气窑等不同类型窑炉的烧结需求。

　　3.加速致密化进程：在烧结保温阶段，氧化镁能促进坯体颗粒的扩散与重排，推动颗粒间形成牢固的冶金结合，同时填充颗粒间的空隙，减少闭口气孔的产生，加速坯体致密化。实验数据显示，添加适量氧化镁的陶瓷，烧结后坯体致密度可从75%-85%提升至90%-95%，孔隙率降至5%以下，为陶瓷优异的力学性能奠定基础。